對下列產品及服務進行國際公開競爭性招標,于2023-12-22在 公告。本次招標采用傳統(tǒng)招標方式,現(xiàn)邀請合格投標人參加投標。1、招標條件項目概況:上海臨港化合物半導體4吋及6吋量產線建設項目資金到位或資金來源落實情況:項目資金已落實項目已具備招標條件的說明:已具備2、招標內容招標項目編號:0705-234004044057招標項目名稱:高性能CCP等離子刻蝕機采購項目實施地點:中國上海市招標產品列表(主要設備):
3、投標人資格要求投標人應具備的資格或業(yè)績:(1) 投標人應為符合《中華人民共和國招標投標法》規(guī)定的獨立法人或其他組織;(2) 如是代理商投標的話,投標人須獲得投標貨物的制造商出具的針對本項目設備的制造商授權書或者能證明投標人與制造商之間合法代理關系的證明;(3) 投標人提供的投標貨物必須為新設備;(4) 投標人或投標貨物的制造商須具備此類設備的生產或供貨經驗,投標人或投標貨物的制造商在近 3年內至少為中國大陸地區(qū)提供過5臺以上與投標產品相同或相似的設備;(5) 投標人須在投標截止期之前在國家商務部指定的機電產品招標投標 (以下簡稱機電產品交易平臺,網(wǎng)址為:http:// )完成注冊及信息核驗。評標結果將在必聯(lián)網(wǎng)和 公示。7、聯(lián)系方式招標人:上海新微半導體 地址:上海市臨港新片區(qū)妙香路2000號(妙香路飛渡路交界處)
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序號 | 產品名稱 | 數(shù)量 | 簡要技術規(guī)格 | 備注 |
1 | 高性能CCP等離子刻蝕機 | 1臺 | 1)產品尺寸Wafer size: 6inch 2) 產品材料Wafer material: 二氧化硅(SiO2),氮化硅(SiN) 3)工作原理Working principle: 干法等離子刻蝕機詳見第八章“技術規(guī)格” |
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