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項目名稱：介質層化學機械研磨（CMP）設備
*. 招標條件
*.* 資金到位或資金來源落實情況:已落實。
*. 招標內容
*.*設備主要功能：化學機械研磨CMP（Chemical Mechanical Polishing）是利用旋轉的拋光頭以一定的壓力將wafer壓在旋轉的拋光墊上，通過化學去膜和機械去膜的交替過程中實現全局平坦化，是集成電路制造中的常用工藝。利用CMP設備可以實現IC器件全局平坦化，實現更小的設計圖形，更多層的金屬互連，提高電路的可靠性、速度和良品率。為滿足以硅光產品為代表的特殊工藝要求，本次招標設備的研磨均勻性需高于常規*英寸* Zone研磨頭CMP設備的能力，同時對CMP膜厚管控有較高的要求，可根據膜厚反饋之Polish time實現自動平坦化process。
*.投標人資格要求
*.*本次招標不接參與項目前期咨詢和招標文件編制的法人或其他組織不得參加投標。
*.招標文件的領購
*.* 招標文件領購結束時間：****年 ** 月 *日
*.* 招標文件售價：***人民幣/套
*.
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項目 聯系人：李楊
咨詢電話：010-51957458
傳真：010-51957412
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